उच्च स्तरीय उत्पाद सिलिकॉन नाइट्राइड

आंशिक रूप से क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन मोज़ेक माइक्रोस्ट्रक्चर में पाया गयासिलिकॉन नाइट्राइडLPCVD द्वारा तैयार की गई फिल्में। बढ़ती स्थितियों और प्रक्रिया के आधार पर, संरचना का पैमाना दसियों से सैकड़ों नैनोमीटर तक होता है। तनाव परीक्षण के परिणामों और ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी अवलोकन परिणामों के आधार पर अलग-अलग परिस्थितियों में उगाई जाने वाली SINX फिल्मों के परिणाम, सिलिकॉन-समृद्ध SINX फिल्मों के माइक्रोस्ट्रक्चर की उत्पत्ति और फिल्म में तनाव के साथ उनकी बातचीत का विश्लेषण किया गया था, और सिलिकॉन-रिच SINX फिल्मों की LPCVD विकास की प्रसार को समन्वित किया गया था। 40 मिमी × 40 मिमी। इस अध्ययन के परिणामों के आधार पर, निर्धारित तन्यता तनाव के साथ SINX झिल्ली की नियंत्रित वृद्धि को LPCVD द्वारा महसूस किया गया था।

1.सिलिकॉन नाइट्राइडपतली फिल्में (पाप _ x) को कम दबाव केमिकल वाष्प जमाव (LPCVD) तकनीक द्वारा सिलिकॉन और नाइट्रोजन स्रोतों के रूप में सिलिकॉन और नाइट्रोजन स्रोतों के रूप में, और वाहक गैस के रूप में उच्च-शुद्धता नाइट्रोजन का उपयोग करके तैयार किया गया था। पाप _ X फिल्मों के विकास कैनेटीक्स का अध्ययन एलिप्सोमेट्री द्वारा किया गया था, पाप के गुणों _ x फिल्मों को फूरियर इन्फ्रारेड स्पेक्ट्रोस्कोपी और एक्स-रे फोटोइलेक्ट्रॉन स्पेक्ट्रोस्कोपी द्वारा चित्रित किया गया था, और पाप के माइक्रोस्कोपिक आकृति विज्ञान को { अन्य प्रक्रियाओं की समान परिस्थितियों में, पाप की वृद्धि दर _ X फिल्म काम के दबाव में वृद्धि के साथ एकरस रूप से बढ़ती है, और फ़ीड गैस में अमोनिया के प्रवाह दर का अनुपात (आर) फिल्म की वृद्धि दर पर विपरीत प्रभाव डालता है। जैसे -जैसे प्रतिक्रिया तापमान बढ़ता है, बयान दर धीरे -धीरे बढ़ जाती है, अधिकतम 840 डिग्री तक पहुंच जाती है और फिर तेजी से घटती जाती है। जब R2 का उपयोग किया जाता है, तो एक सी-समृद्ध पाप _ x पतली फिल्म (x1.33) प्राप्त की जाती है। जब R4 का उपयोग किया जाता है, तो एक पाप _ X फिल्म के पास-स्टोइकोमेट्रिक (z .31.33) प्राप्त होती है।

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