पॉलिशिंग पीसने के लिए सिलिकॉन कार्बी पाउडर

सिलिकॉन कार्बाइड के निर्माण में कई जटिल प्रक्रियाएं शामिल हैं। प्राथमिक तरीकों में से एक एसेसन प्रक्रिया है, जिसे 19 वीं शताब्दी के अंत में विकसित किया गया था। इस प्रक्रिया में, सिलिका रेत और पेट्रोलियम कोक का मिश्रण 2000 - 2500 डिग्री के आसपास तापमान के लिए एक विद्युत प्रतिरोध भट्ठी में गर्म किया जाता है। उच्च तापमान कोक में रेत और कार्बन में सिलिकॉन डाइऑक्साइड के बीच एक रासायनिक प्रतिक्रिया का कारण बनता है, जिसके परिणामस्वरूप सिलिकॉन कार्बाइड का निर्माण होता है। हालांकि, Acheson प्रक्रिया आम तौर पर अशुद्धियों के साथ सिलिकॉन कार्बाइड का उत्पादन करती है, जिसके लिए आगे शुद्धिकरण चरणों की आवश्यकता होती है।

आधुनिक विनिर्माण तकनीक अर्धचालक अनुप्रयोगों के लिए उच्च -शुद्धता, एकल - क्रिस्टल सिलिकॉन कार्बाइड का उत्पादन करने पर ध्यान केंद्रित करती है। रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) उच्च गुणवत्ता वाले एसआईसी एकल क्रिस्टल बढ़ने के लिए एक व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली विधि है। सीवीडी में, वाष्पशील सिलिकॉन का मिश्रण - युक्त और कार्बन - युक्त अग्रदूतों को एक उच्च तापमान रिएक्टर में पेश किया जाता है। ये अग्रदूत एक बीज क्रिस्टल पर सिलिकॉन और कार्बन परमाणुओं को विघटित और जमा करते हैं, धीरे -धीरे एक बड़े, एकल -क्रिस्टल sic बुले को बढ़ाते हैं। क्रिस्टल की गुणवत्ता को सुनिश्चित करने के लिए विकास प्रक्रिया को सटीक रूप से नियंत्रित करने की आवश्यकता है, क्योंकि कोई भी दोष एसआईसी -आधारित उपकरणों के प्रदर्शन को काफी प्रभावित कर सकता है। क्रिस्टल विकास के बाद, बाउल्स को कटा हुआ, पॉलिश किया जाता है और वेफर्स में संसाधित किया जाता है, जो तब विभिन्न एसआईसी आधारित इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणों को गढ़ने के लिए उपयोग किया जाता है।

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