उत्पाद विवरण
के विस्तृत आवेदन के साथसिलिकन कार्बाइडमेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) पावर डिवाइस, उनके द्वारा सामना की जाने वाली गेट विश्वसनीयता समस्याओं को तत्काल हल करने की आवश्यकता है, यह पेपर प्लानर गेट SIC वर्टिकल MOSFET पावर डिवाइसेस के गेट संरचना की समीक्षा करता है और गेट ऑक्सीजन स्क्रीनिंग विधियों का उपयोग आमतौर पर गेट ऑक्सीजन के भौतिक मॉडल का परिचय देता है।
उत्पाद पैरामीटर
| नमूना | अवयव % | |||
| 60# | सिक | Fc fe2o3 | ||
| 65# | 60min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 70# | 65min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 75# | 70min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 80# | 75min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 85# | 80min | 3-6 | 3.5max | |
| 90# | 85min | 2.5max | 3.5max | |
| 95# | 90min | 1। 0 अधिकतम | 1.2MAX | |
| 97# | 95min | 0। 6max | 1.2MAX | |
उत्पाद सहयोग चित्र
1.कार्बन/सिलिकन कार्बाइडहाल के वर्षों में विकसित एक नए प्रकार का उच्च-प्रदर्शन सिरेमिक-आधारित घर्षण प्रतिरोध सामग्री है, जिसमें कम घनत्व, अच्छे ऑक्सीकरण प्रतिरोध, उच्च घर्षण प्रदर्शन और स्थिर प्रदर्शन जैसे फायदे की एक श्रृंखला है, और उच्च-ऊर्जा भार ब्रेकिंग जैसे कि उच्च गति वाली ट्रेन, विमान और भारी वाहनों के क्षेत्र में आवेदन संभावनाओं की एक विस्तृत श्रृंखला है। प्रतिक्रियाशील पिघल संसेचन कार्बन/सिलिकॉन कार्बाइड घर्षण कंपोजिट तैयार करने का एक प्रभावी तरीका है। कार्बन/सिलिकॉन कार्बाइड घर्षण कंपोजिट के डिजाइन के आधार पर, प्रतिक्रियाशील पिघल पैठ प्रक्रिया की थर्मोडायनामिक स्थितियां, सी-सी प्रतिक्रिया प्रणाली के बुनियादी विशेषताओं और गतिज कानूनों का गहराई से विश्लेषण किया जाता है। इस पत्र में, माइक्रोस्ट्रक्चर विशेषताओं और घर्षण और दो विशिष्ट सी/एसआईसी कंपोजिट के गुणों, जैसे कि लघु फाइबर मोल्डिंग और तीन आयामी सुई, व्यवस्थित रूप से चर्चा की जाती है। इसी समय, कार्बन/सिलिकॉन कार्बाइड घर्षण समग्र घटकों में इन्फ्रारेड थर्मल इमेजिंग, एक्स-रे ट्रांसमिशन और औद्योगिक सीटी जैसे उन्नत इंजीनियरिंग का पता लगाने के तरीकों का अनुप्रयोग विश्लेषण किया जाता है।
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