उच्च गुणवत्ता वाले सिलिकॉन कार्बाइड/एमरी

सिलिकॉन कार्बाइड प्रक्रिया प्रवाह: अल्ट्रा-उच्च तापमान वातावरण: तात्कालिक प्रतिक्रिया प्राप्त करने के लिए प्लाज्मा या चाप के माध्यम से 2500 से अधिक डिग्री तक हीटिंग। रैपिड सिंथेसिस: रिएक्शन टाइम को कई घंटों तक छोटा कर दिया जाता है, और उच्च-शुद्धता वाले एसआईसी को सीधे उत्पन्न किया जाता है।

लाभ: उत्पाद में उच्च शुद्धता () 99.9%) और उत्कृष्ट क्रिस्टल संरचना है।

कोई मध्यवर्ती उत्पाद नहीं हैं, जो नैनो-स्केल SIC की तैयारी के लिए उपयुक्त है। नुकसान: महंगे उपकरण और अत्यधिक उच्च ऊर्जा की खपत। प्रौद्योगिकी बड़े पैमाने पर लागू करना मुश्किल और मुश्किल है। अनुप्रयोग: उच्च-अंत वाले फ़ील्ड जैसे कि अर्धचालक और ऑप्टिकल कोटिंग्स। अन्य प्रक्रियाएं: रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी): पतली फिल्म या एकल क्रिस्टल एसआईसी के लिए उपयोग किया जाता है, लागत बहुत अधिक है। सोल-जेल विधि: प्रयोगशाला में नैनो-एसआईसी के छोटे बैचों के लिए उपयुक्त है, और औद्योगिकीकरण मुश्किल है।

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