सिलिकॉन कार्बाइड SiC

सिलिकॉन कार्बाइड SiC

सिलिकॉन कार्बाइड कार्बन और सिलिकॉन तत्वों से बना एक अर्धचालक यौगिक सामग्री है। गैलियम नाइट्राइड, एल्यूमीनियम नाइट्राइड, गैलियम ऑक्साइड और 2.2eV से अधिक बैंड गैप चौड़ाई वाली अन्य सामग्रियों की तुलना में, सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) को एक विस्तृत बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्री के रूप में वर्गीकृत किया जाता है, और इसे चीन में तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर सामग्री के रूप में भी जाना जाता है।
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विवरण
सिलिकॉन कार्बाइड के फायदे

 

यदि केवल सिलिकॉन कार्बाइड चिप्स पर विचार किया जाता है, तो पारंपरिक सिलिकॉन-आधारित पावर चिप्स की तुलना में, सिलिकॉन कार्बाइड के पावर सेमीकंडक्टर्स के क्षेत्र में अतुलनीय फायदे हैं: यह उच्च धाराओं और वोल्टेज का सामना कर सकता है, इसमें उच्च स्विचिंग गति, कम ऊर्जा हानि और बेहतर उच्च-शक्ति है। तापमान प्रदर्शन. इसलिए, सिलिकॉन कार्बाइड से बना पावर मॉड्यूल कैपेसिटर, इंडक्टर्स, कॉइल्स और गर्मी अपव्यय घटकों जैसे घटकों की संख्या को कम कर सकता है, जिससे संपूर्ण पावर डिवाइस मॉड्यूल अधिक हल्का, ऊर्जा-बचत और अधिक आउटपुट पावर बन जाता है, जबकि विश्वसनीयता भी बढ़ती है। . ये फायदे स्पष्ट हैं.
 
टर्मिनल अनुप्रयोगों के दृष्टिकोण से, सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री का व्यापक रूप से हाई-स्पीड रेल, ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स, स्मार्ट ग्रिड, फोटोवोल्टिक इनवर्टर, औद्योगिक इलेक्ट्रोमैकेनिकल, डेटा सेंटर, सफेद सामान, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, 5 जी संचार, अगली पीढ़ी के डिस्प्ले और अन्य में उपयोग किया गया है। क्षेत्र, और बाजार की संभावनाएं बहुत बड़ी हैं। उद्योग के अंदर और बाहर दोनों ने भविष्य में सिलिकॉन कार्बाइड की विशाल अनुप्रयोग क्षमता को पहचाना है, और एक के बाद एक योजनाएँ बनाई हैं, इसलिए "गोल्डन ट्रैक" इसके नाम के योग्य है।

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सिलिकॉन कार्बाइड भविष्य का नेतृत्व करता है

 

अनुप्रयोग के दृष्टिकोण से, सिलिकॉन कार्बाइड को "गोल्डन ट्रैक" के रूप में जाना जाता है, जो बहुत अधिक नहीं है।
 
वर्तमान में, सिलिकॉन कार्बाइड और गैलियम नाइट्राइड सामग्रियों की विशेषताओं को अधिकतम करने के लिए, आदर्श समाधान सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट्स पर एपिटैक्सियल विकास है। कहने का तात्पर्य यह है कि बिजली उपकरणों के निर्माण के लिए सिलिकॉन कार्बाइड के ऊपर एक सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल परत उगाई जाती है; सिलिकॉन कार्बाइड पर विकसित गैलियम नाइट्राइड एपिटैक्सियल परत का उपयोग मध्यम और निम्न वोल्टेज और उच्च आवृत्ति बिजली उपकरणों (650V से कम), उच्च शक्ति वाले माइक्रोवेव आरएफ उपकरणों और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण के लिए किया जा सकता है। यह विधि वर्तमान में सिलिकॉन कार्बाइड और गैलियम नाइट्राइड चिप्स के निर्माण में व्यापक रूप से उपयोग की जाती है।

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