सिलिकॉन पर विद्युत लाभ
कम-प्रतिरोध (Rₒₙ), चालन नुकसान को कम करना।
उच्च इलेक्ट्रॉन संतृप्ति वेग, तेजी से स्विचिंग गति (आरएफ और बिजली उपकरणों के लिए कुंजी) को सक्षम करना।
कम बिजली अपव्यय, ईवीएस, अक्षय ऊर्जा प्रणालियों और 5 जी बुनियादी ढांचे में ऊर्जा दक्षता में सुधार।
ऑप्टिकल गुण
कुछ SIC पॉलीटाइप्स (जैसे, 6H-SIC) UV- दृश्य स्पेक्ट्रा में अर्ध-पारदर्शी हैं, जो ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक अनुप्रयोगों के लिए उपयोगी हैं।
रासायनिक निष्क्रियता और संक्षारण प्रतिरोध
ऑक्सीकरण, एसिड और अल्कलिस के लिए अत्यधिक प्रतिरोधी।
संक्षारक या उच्च तापमान वाले वायुमंडल (जैसे, औद्योगिक भट्टियों, रासायनिक रिएक्टर) में मज़बूती से प्रदर्शन करता है।
सिलिकॉन कार्बाइड के चैनलेंग्स
उच्च उत्पादन लागतजटिल क्रिस्टल विकास (जैसे, प्राइवेट विधि) के कारण।
दोष संवेदनशीलता(micropipes, अव्यवस्था) वेफर गुणवत्ता को प्रभावित करना।
सीमित वेफर आकार(6-8 इंच बनाम सी का 12- इंच), हालांकि प्रगति जारी है।
निष्कर्ष
यांत्रिक मजबूती, थर्मल स्थिरता और बेहतर विद्युत प्रदर्शन का SIC का अद्वितीय संयोजन इसे अगली पीढ़ी के पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, इलेक्ट्रिक वाहनों और कठोर-पर्यावरण अनुप्रयोगों के लिए एक परिवर्तनकारी सामग्री बनाता है। विनिर्माण तकनीक के आगे बढ़ने के रूप में, SIC को उच्च प्रदर्शन वाले क्षेत्रों में सिलिकॉन को विस्थापित करने की उम्मीद है।
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