उच्च स्तर की सामग्री सिलिकॉन धातु 2502

धातु सिलिसाइड के साथ एक सामग्री और तैयारी विधि, एसिलिकॉन मेटल 2502नैनोस्ट्रक्चर, जिसमें एसओआई सब्सट्रेट पर निर्मित धातु सिलिसाइड नैनोस्ट्रक्चर शामिल है; इस SOI सब्सट्रेट की इन्सुलेटिंग ढांकता हुआ परत की मोटाई 100-1000 एनएम है, और सिलिकॉन फिल्म की मोटाई 50-500 एनएम है। तैयारी विधि में सफाई, सुखाना, स्पिन कोटिंग पॉजिटिव फोटोरेसिस्ट, एक्सपोज़र, विकास और फिक्सिंग, और फिर एसओआई सब्सट्रेट की सिलिकॉन पतली फिल्म सतह पर आवश्यक नैनोस्ट्रक्चर की मास्क पैटर्न संरचना तैयार करना शामिल है।

1.एक धातु सिलाइड के साथ एक सामग्री और तैयारी विधि, एसिलिकॉन धातु 2502नैनोस्ट्रक्चर, जिसमें एक SOI सब्सट्रेट पर गढ़े गए एक धातु सिलाइड नैनोस्ट्रक्चर शामिल हैं; इस SOI सब्सट्रेट की इन्सुलेटिंग ढांकता हुआ परत की मोटाई 100-1000 nm है, और सिलिकॉन फिल्म की मोटाई 50-500 nm है। तैयारी विधि में यह शामिल है कि SOI सब्सट्रेट को सकारात्मक फोटोरिसिस्ट के साथ साफ, सूखा, स्पिन-लेपित किया जाता है, उजागर, विकसित और तय किया जाता है, और आवश्यक नैनोस्ट्रक्चर की मास्क पैटर्न संरचना SOI सब्सट्रेट की सिलिकॉन पतली फिल्म सतह पर गढ़ी गई है। प्रतिक्रियाशील आयन नक़्क़ाशी का उपयोग SOI सब्सट्रेट पर सिलिकॉन फिल्म को आवश्यक नैनोस्ट्रक्चर में खोदने के लिए किया जाता है, नक़्क़ाशी की गहराई सिलिकॉन फिल्म की मोटाई है, और फिर सिलिकॉन नैनोस्ट्रक्चर युक्त इन्सुलेट परत पर, धातु की फिल्म के गठन के लिए आवश्यक धातु फिल्म है। धातु सिलाइड को जमा किया जाता है, और फिर धातु और सिलिकॉन धातु के सिलाइड को बनाने के लिए उच्च तापमान एनीलिंग द्वारा ठोस चरण में प्रतिक्रिया करते हैं, और गैर-कानूनी धातु को रासायनिक जंग द्वारा हटा दिया जाता है, अर्थात, धातु सिलाइड नैनोस्ट्रक्चर का गठन होता है। विधि सरल है और नैनोस्ट्रक्चर की स्थिति और पैमाने को नियंत्रित कर सकती है।

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