एक अकार्बनिक सिलिकॉन कार्बाइड

एक अकार्बनिक सिलिकॉन कार्बाइड

सिलिकॉन कार्बाइड रासायनिक सूत्र SiC के साथ एक अकार्बनिक पदार्थ है, जिसे क्वार्ट्ज रेत, पेट्रोलियम कोक (या कोयला कोक) और लकड़ी के चिप्स (उत्पादन में नमक जोड़ने की आवश्यकता होती है) जैसे कच्चे माल के साथ एक प्रतिरोध भट्टी द्वारा उच्च तापमान पर गलाया जाता है। हरे सिलिकॉन कार्बाइड का)
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उत्पाद विवरण

 

 

सिलिकन कार्बाइडएक अर्धचालक है जो प्रकृति में अत्यंत दुर्लभ खनिज मोइसानाइट के रूप में पाया जाता है। 1893 से इसका पाउडर और क्रिस्टल के रूप में बड़े पैमाने पर उत्पादन किया गया है, जिसका उपयोग अपघर्षक आदि के रूप में किया जाता है। गैर-ऑक्साइड उच्च तकनीक वाले दुर्दम्य कच्चे माल जैसे सी, एन और बी में, सिलिकॉन कार्बाइड सबसे व्यापक रूप से इस्तेमाल किया जाने वाला और किफायती है। जिसे गोल्ड स्टील रेत या दुर्दम्य रेत कहा जा सकता है। चीन के औद्योगिक रूप से उत्पादित सिलिकॉन कार्बाइड को दो प्रकारों में विभाजित किया गया है: काला सिलिकॉन कार्बाइड और हरा सिलिकॉन कार्बाइड, दोनों हेक्सागोनल क्रिस्टल हैं।

 

उत्पाद पैरामीटर
श्रेणी अवयव %
  सिक मुफ़्त कार्बन एफई2हे3
98.5 98.5 मिनट 0.2अधिकतम 0.6अधिकतम
97 97 मिनट 0.3अधिकतम 1.2अधिकतम
95 95 मिनट 0.6अधिकतम 1.2अधिकतम
90 90 मिनट 1.0अधिकतम 1.2अधिकतम
88 88 मिनट 4.0अधिकतम 1.5अधिकतम

 

उत्पाद चित्र

ZhenAn50

Silicon metal package

2202

2502

1.सिलिकन कार्बाइडक्रिस्टलीय सामग्री का विकास 100 से अधिक वर्षों से किया जा रहा है। 1892 में, एचेसन ने सिलिकॉन डाइऑक्साइड और कार्बन से SiC पाउडर को संश्लेषित करने के लिए एक विधि का आविष्कार किया, और इस विधि में, एक उप-उत्पाद की खोज की गई, जो परतदार SiC सामग्री थी, लेकिन ये परतदार SiC सामग्री उच्च शुद्धता और छोटे आकार की नहीं थी, और अर्धचालक उपकरण बनाने के लिए उपयोग नहीं किया जा सका। 1955 तक ऐसा नहीं हुआ था कि लेल उर्ध्वपातन तकनीक द्वारा अपेक्षाकृत शुद्ध SiC क्रिस्टल विकसित करने में सफल रहा, जिसे लेली विधि भी कहा जाता है।

2.हालाँकि, छोटे आकार और बड़े प्रदर्शन अंतर के कारणसिलिकन कार्बाइडलेली विधि द्वारा तैयार की गई शीट सामग्री का उपयोग SiC एकल क्रिस्टल को उगाने के लिए व्यावसायिक तकनीक के रूप में नहीं किया जा सकता है। 1978-1981 के दौरान, टारोव और स्वेत्कोव ने ऊर्ध्वपातन भट्ठी में एक बीज क्रिस्टल को पेश करके और थर्मोडायनामिक और गतिज विचारों के आधार पर बीज क्रिस्टल में SiC स्रोत के परिवहन को नियंत्रित करने के लिए एक उपयुक्त तापमान ढाल डिजाइन करके लेली विधि में सुधार किया, ए विकास प्रक्रिया को संशोधित लेली विधि के रूप में जाना जाता है, जिसे बीज क्रिस्टल उर्ध्वपातन विधि या भौतिक वाष्प चरण परिवहन (पीवीटी) विधि के रूप में भी जाना जाता है।

3.इस प्रकार से,सिलिकन कार्बाइडबड़े व्यास और कम विस्तारित दोष घनत्व वाले क्रिस्टल प्राप्त किए जा सकते हैं। विकास प्रक्रिया में निरंतर सुधार के साथ, जिन कंपनियों ने इस पद्धति का उपयोग करके औद्योगीकरण हासिल किया है उनमें संयुक्त राज्य अमेरिका में क्री और डॉवकॉर्निंग, जर्मनी में सीक्रिस्टल, जापान में निप्पॉन स्टील, चीन में शेडोंग तियान्यु और तियान्के हेडा शामिल हैं।

 

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