ग्राइंडिंग पॉलिशिंग के लिए सिलिकॉन कार्बी पाउडर

सिलिकॉन कार्बाइड के निर्माण में कई जटिल प्रक्रियाएँ शामिल हैं। प्राथमिक तरीकों में से एक एचेसन प्रक्रिया है, जिसे 19वीं सदी के अंत में विकसित किया गया था। इस प्रक्रिया में, सिलिका रेत और पेट्रोलियम कोक के मिश्रण को विद्युत प्रतिरोध भट्टी में लगभग 2000 - 2500 डिग्री के तापमान पर गर्म किया जाता है। उच्च तापमान के कारण रेत में सिलिकॉन डाइऑक्साइड और कोक में कार्बन के बीच रासायनिक प्रतिक्रिया होती है, जिसके परिणामस्वरूप सिलिकॉन कार्बाइड बनता है। हालाँकि, एचेसन प्रक्रिया आम तौर पर अशुद्धियों के साथ सिलिकॉन कार्बाइड का उत्पादन करती है, जिसके लिए आगे शुद्धिकरण चरणों की आवश्यकता होती है।

आधुनिक विनिर्माण तकनीकें सेमीकंडक्टर अनुप्रयोगों के लिए उच्च-शुद्धता, एकल-क्रिस्टल सिलिकॉन कार्बाइड के उत्पादन पर ध्यान केंद्रित करती हैं। रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) उच्च गुणवत्ता वाले SiC एकल क्रिस्टल को उगाने के लिए व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली विधि है। सीवीडी में, वाष्पशील सिलिकॉन युक्त और कार्बन युक्त अग्रदूतों का मिश्रण एक उच्च तापमान रिएक्टर में पेश किया जाता है। ये पूर्ववर्ती सिलिकॉन और कार्बन परमाणुओं को एक बीज क्रिस्टल पर विघटित और जमा करते हैं, जिससे धीरे-धीरे एक बड़ा, एकल-क्रिस्टल SiC बाउल विकसित होता है। क्रिस्टल की गुणवत्ता सुनिश्चित करने के लिए विकास प्रक्रिया को सटीक रूप से नियंत्रित करने की आवश्यकता है, क्योंकि कोई भी दोष SiC- आधारित उपकरणों के प्रदर्शन को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित कर सकता है। क्रिस्टल के विकास के बाद, बाउल्स को काटा जाता है, पॉलिश किया जाता है और वेफर्स में संसाधित किया जाता है, जिसका उपयोग विभिन्न SiC- आधारित इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को बनाने के लिए किया जाता है।

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