असाधारण कठोरता और यांत्रिक शक्ति
मोह कठोरता ~9.5, हीरे और बोरान नाइट्राइड के बाद दूसरे स्थान पर है।
उच्चप्रतिरोध पहन, जो इसे अपघर्षक अनुप्रयोगों (उदाहरण के लिए, पीसने वाले पहिये, काटने के उपकरण) के लिए आदर्श बनाता है।
अत्यधिक तनाव में भी यांत्रिक स्थिरता बनाए रखता है।
वाइड बैंडगैप सेमीकंडक्टर गुण
3.26 eV (4H-SiC) का बैंडगैप, सिलिकॉन (1.12 eV) से काफी बड़ा।
पर संचालन सक्षम बनाता हैउच्च वोल्टेज, तापमान और आवृत्तियाँ.
पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में ऊर्जा हानि को कम करता है।
उच्चमहत्वपूर्ण विद्युत क्षेत्र की ताकत(सिलिकॉन का 10 गुना), पतले, अधिक कुशल डिवाइस डिज़ाइन की अनुमति देता है।
उत्कृष्ट तापीय गुण
उच्च तापीय चालकता (कमरे के तापमान पर 4H-SiC के लिए ~490 W/m·K), अधिकांश धातुओं और अर्धचालकों से आगे।
उत्कृष्टगर्मी लंपटता, पावर इलेक्ट्रॉनिक्स और उच्च-आवृत्ति उपकरणों के लिए महत्वपूर्ण।
1,600 डिग्री तक थर्मल स्थिरता(पिघलने बिंदु ~2,700 डिग्री), चरम वातावरण (उदाहरण के लिए, एयरोस्पेस, परमाणु रिएक्टर) के लिए उपयुक्त।
मुख्य लाभ बनाम पारंपरिक सामग्री
| संपत्ति | सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) | सिलिकॉन (Si) | गैलियम नाइट्राइड (GaN) |
|---|---|---|---|
| बैंडगैप (ईवी) | 3.26 | 1.12 | 3.4 |
| ऊष्मीय चालकता | उच्च (~490 W/m·K) | निम्न (~150 W/m·K) | मध्यम (~253 W/m·K) |
| अधिकतम परिचालन तापमान. | ~600 डिग्री + | ~150 डिग्री | ~300 डिग्री |
| विद्युत क्षेत्र की ताकत | 10x सी | आधारभूत | ~3x सी |
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