उत्पाद विवरण
टाइटेनियम-आयरन-निकेल हाई हाइड्रोजन इवोल्यूशन एक्टिव इलेक्ट्रोकैटलिस्ट की एक तैयारी विधि, जिसमें लोहे-निकेल बेसिक कार्बोनेट नैनोशेट्स की इलेक्ट्रिक डबल-लेयर संरचना के साथ एक अग्रदूत समान रूप से हाइड्रोथर्मल विधि, एक टाइटेनियम ऑक्साइड द्वारा सीएफपी (कार्बन फाइबर पेपर) पर समान रूप से उगाया जाता है। एक निश्चित मोटाई की फिल्म को अग्रदूत की सतह पर लेपित किया जाता है, और एक हवा के माहौल में 400 डिग्री पर क्रिस्टलीकृत और क्रिस्टलीकृत किया जाता है; अनाकार टियो को एनाटेज प्रकार में बदल दिया गया था, और अग्रदूत बेसिक निकेल आयरन कार्बोनेट को निकेल फेर्रेट में बदल दिया गया था, और ठंडा होने के बाद टियो-नाइफो@सीएफपी-एक्स कम्पोजिट इलेक्ट्रोकैटलिटिक सामग्री प्राप्त की गई थी। वर्तमान आविष्कार की विधि द्वारा तैयार किए गए उत्पाद में समान कोटिंग, दृढ़ता और नियंत्रणीय मोटाई के फायदे हैं।फेरो टाइटेनियम30निकेल नैनोसेट इलेक्ट्रोकैटलिस्ट्स क्षारीय परिस्थितियों में कम ओवरपोटेंशियल परिस्थितियों में पानी और हाइड्रोजन विकास को इलेक्ट्रोकैटलिज़ कर सकते हैं।
उत्पाद पैरामीटर
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श्रेणी |
ती | अल | साई | P | S | C | घन | एम.एन. |
| Feti 30- a | 25-35 | 8 | 4.5 | 0.05 | 0.03 | 0.1 | 0.2 | 2.5 |
| Feti 30- b | 25-35 | 8.5 | 5 | 0.06 | 0.04 | 0.15 | 0.2 | 2.5 |
उत्पाद सहयोग चित्र

1.उच्च गुणवत्ता वाले HIG को तैयार करने की विधिफेरो टाइटेनियम 30थर्माइट रिडक्शन और वैक्यूम इंडक्शन के आधार पर स्मेल्टिंग टाइटेनियम-आयरन विशेष मिश्र धातु की तैयारी प्रक्रिया के क्षेत्र से संबंधित है, विशेष रूप से 65%~ 75%की टाइटेनियम सामग्री के साथ उच्च-टाइटेनियम-आयरन की तैयारी विधि को शामिल करता है। प्रक्रिया चरण निम्नानुसार हैं: सबसे पहले, फेरोटिटेनियम के उच्च तापमान पिघल को थर्माइट रिडक्शन विधि द्वारा प्राप्त किया जाता है, और फिर अनियंत्रित उच्च तापमान पिघल को वैक्यूम द्वारा गला दिया जाता है। थर्माइट रिडक्शन स्मेल्टिंग और वैक्यूम इंडक्शन स्मेल्टिंग के कम करने वाले एजेंट कच्चे माल हैं जैसे कि कम्पोजिट को कम करने वाले एजेंट और कंपाउंड स्लैग सिस्टम, जो कम इग्निशन दीक्षा प्रतिक्रिया का उपयोग करके गला जाता है, और धातु मैग्नीशियम पाउडर को उच्च तापमान के लिए पिघला दिया जाता है। स्मेल्टिंग प्रक्रिया के दौरान डीप डीऑक्सिडेशन, और एफई को वैक्यूम इंडक्शन स्मेल्टिंग स्टेज में पूरक होने की आवश्यकता है।
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